第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,有許多不可替代的優(yōu)異性質(zhì),應用領(lǐng)域廣泛,是國家重大需求和國際高科技產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一,正處于產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵窗口期。
以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件,具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢,可實(shí)現功率模塊小型化、輕量化。主要應用于新能源汽車(chē)/充電樁、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。氮化鎵作為寬禁帶半導體的“門(mén)面”之一,隨著(zhù)技術(shù)的不斷升級,性能被進(jìn)一步開(kāi)發(fā),開(kāi)始強勢“破圈”,不再局限于快充等消費電子市場(chǎng),而是向新能源汽車(chē)、數據中心、可再生能源等高速發(fā)展的熱門(mén)領(lǐng)域持續推進(jìn)。數據顯示,2022年全球氮化鎵功率器件市場(chǎng)規模為1.8億美元,到2026年將有望達13.3億美元,年均復合增長(cháng)率達65%。
第三代半導體寫(xiě)入“十四五”規劃后,市場(chǎng)上對該半導體的需求和要求越來(lái)越高,市場(chǎng)規模將持續穩定升高,行業(yè)也將在市場(chǎng)的催化下迭代升級,產(chǎn)品性能功能也將不斷完善。未來(lái),在市場(chǎng)規模趨勢方面,我國第三代半導體行業(yè)將持續保持高速增長(cháng);在細分產(chǎn)品發(fā)展趨勢方面,SiC需求將會(huì )增長(cháng),GaN應用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展;在技術(shù)發(fā)展趨勢方面,大尺寸Si基GaN外延等問(wèn)題將會(huì )有所進(jìn)展。
半導體在線(xiàn)分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導體會(huì )議,與會(huì )人員累計超過(guò)1500人,并得到了與會(huì )者的一致好評。為了促進(jìn)第三代半導體材料領(lǐng)域的相互交流與合作,半導體在線(xiàn)將于2024年3月28日-29日(27日簽到)在蘇州組織召開(kāi)2024年第三屆第三代半導體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì ),旨在提供協(xié)同創(chuàng )新的高質(zhì)量交流平臺,推動(dòng)國內第三代半導體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
半導體在線(xiàn) 時(shí)間:2024年3月28日-29日(3月27日簽到) 地點(diǎn):江蘇蘇州 SiC、GaN等生長(cháng)與外延技術(shù) SiC、GaN等生長(cháng)裝備和其他裝備 SiC、GaN等器件及測試分析技術(shù) SiC、GaN等器件封裝模塊、系統解決方案及應用 主要通過(guò)主題發(fā)言、現場(chǎng)討論的形式,也歡迎材料企業(yè)、設備企業(yè)安排小型展覽。會(huì )議期間還將組織演講嘉賓或行業(yè)資深專(zhuān)家們與參會(huì )代表互動(dòng)進(jìn)行自由討論。為了共同辦好這次會(huì )議, 熱烈歡迎各企業(yè)、科研院所贊助本次會(huì )議,并借此機會(huì )提高知名度。 會(huì )議注冊費:(僅含會(huì )議期間提供午、晚餐及茶歇、會(huì )議資料) 2024年2月29日前完成注冊及繳費:2000元/人; 2024年3月22日前完成注冊及繳費:2300元/人; 2024年3月23日后完成注冊及繳費:2600元/人。 開(kāi)票注意事項: 增值稅普通發(fā)票請提供單位名稱(chēng)及稅號。 如果需要增值稅專(zhuān)用發(fā)票,請提供單位名稱(chēng)、稅號、地址、電話(huà)、開(kāi)戶(hù)行、賬號。接收郵箱:bandaotibj@163.com 參會(huì )、參展、宣傳及贊助事宜 聯(lián)系人:劉經(jīng)理 聯(lián)系電話(huà):13521337845(微信同號) 聯(lián)系人:秦經(jīng)理 聯(lián)系電話(huà):18513072168(微信同號)